一种低频偏的石英晶体谐振器
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一种低频偏的石英晶体谐振器

引用
本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域,具体涉及一种低频偏的石英晶体谐振器,包括基座和固定于基座内的晶片本体,晶片本体的上表面、下表面分别设置有上电极层和下电极层,晶片本体与上电极层、下电极层之间分别设置有上镀铬层、下镀铬层,上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上,上电极层的面积大于下电极层的面积,晶片本体的中线和上电极层的中线之间的距离为0.2-0.8mm。本实用新型采用上镀铬层和下镀铬层,镀铬层的设置使石英晶片与镀银层电极附着更牢固,不易脱落,能减少频偏,提高生产效益,且长期频率稳定性高。

实用新型

CN201420418799.1

2014-07-28

CN204031095U

2014-12-17

H03H9/19(2006.01)I

广东惠伦晶体科技股份有限公司

陈金荣

523750 广东省东莞市黄江镇东环路鸡啼岗段36号

东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215

李玉平

广东;44

一种低频偏的石英晶体谐振器,包括基座和固定于基座内的晶片本体,晶片本体的上表面、下表面分别设置有上电极层和下电极层,其特征在于:晶片本体与上电极层、下电极层之间分别设置有上镀铬层、下镀铬层,上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上,上电极层的面积大于下电极层的面积,晶片本体的中线和上电极层的中线之间的距离为0.2‑0.8mm。
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2014-12-17授权
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