一种高频率的石英晶体谐振器
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一种高频率的石英晶体谐振器

引用
本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域,具体涉及一种高频率的石英晶体谐振器,包括晶片本体,晶片本体的上表面设置有上镀膜层,上镀膜层中部开设有刻蚀层,刻蚀层的长边与上镀膜层的长边之间的距离为0.25-0.40mm,刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20-0.35mm。本实用新型由于在刻蚀层尺寸小于上镀膜层的尺寸,刻蚀掉中间一部分镀膜材料,因此对高频率FDLD参数影响小,并且可提高产品品质稳定性。

实用新型

CN201420418698.4

2014-07-28

CN204031094U

2014-12-17

H03H9/19(2006.01)I

广东惠伦晶体科技股份有限公司

杜自甫

523750 广东省东莞市黄江镇东环路鸡啼岗段36号

东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215

李玉平

广东;44

一种高频率的石英晶体谐振器,包括晶片本体,其特征在于:晶片本体的上表面设置有上镀膜层,上镀膜层中部开设有刻蚀层,刻蚀层的长边与上镀膜层的长边之间的距离为0.25‑0.40mm,刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20‑0.35mm。
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2014-12-17授权
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