一种低阻抗的石英晶体谐振器
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一种低阻抗的石英晶体谐振器

引用
本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域,具体涉及一种低阻抗的石英晶体谐振器,包括基座和固定于基座内的晶片本体,晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层,基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域,第一涂覆区域设置有第一导电胶,第二涂覆区域设置有第二导电胶,晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定,第一导电胶和第二导电胶的高度均为40-60μm,晶片本体的底面与第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10-30μm。本实用新型能降低晶片本体的阻抗,减少阻抗不良品,可大幅度减少阻抗不良率4.61%以上,与同一工单的阻抗均值比较,改善后可下降4.3Ω。

实用新型

CN201420417739.8

2014-07-28

CN204031090U

2014-12-17

H03H9/19(2006.01)I

广东惠伦晶体科技股份有限公司

唐振桓

523750 广东省东莞市黄江镇东环路鸡啼岗段36号

东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215

李玉平

广东;44

一种低阻抗的石英晶体谐振器,包括基座和固定于基座内的晶片本体,晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层,其特征在于:基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域,第一涂覆区域设置有第一导电胶,第二涂覆区域设置有第二导电胶,晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定,第一导电胶和第二导电胶的高度均为40‑60μm,晶片本体的底面与第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10‑30μm。
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2014-12-17授权
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