一种可控硅保护电路

摘要：

本实用新型公开了一种可控硅保护电路，包括具有初级绕组和次级绕组的变压器，与变压器的初级绕组连接的开关电路，与变压器的次级绕组连接的滤波电路，与滤波电路连接的光耦隔离电路，及双向可控硅，所述双向可控硅的控制极与光耦隔离电路的输出端连接。本实用新型采用了开关电路控制变压器的工作，通过光耦隔离电路将滤波电路与双向可控硅隔离，再通过控制光耦隔离电路的通断以实现双向可控硅的可靠工作，避免了双向可控硅的误触发，具有可靠性高、构造简单的优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420396597.1

申请日期：2014-07-17

公开/公告号：CN203951460U

公开/公告日：2014-11-19

主分类号：H03K19/14(2006.01)I

申请/专利权人:温岭资发半导体有限公司

发明/设计人:仇正勇

主申请人地址:317500 浙江省台州市温岭市泽国镇丹山村

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种可控硅保护电路，其特征在于：包括具有初级绕组（N0）和次级绕组（N1）的变压器（T1），与变压器（T1）的初级绕组（N0）连接的开关电路（1），与变压器（T1）的次级绕组（N1）连接的滤波电路（2），与滤波电路（2）连接的光耦隔离电路（3），及双向可控硅（TR1），所述双向可控硅（TR1）的控制极与光耦隔离电路（3）的输出端连接。