一种超宽带矢量调制芯片

摘要：

本实用新型提供一种超宽带矢量调制芯片，包括功分器、合成器，及两个衰减器，功分器输入端为该超宽带矢量调制芯片输入端，合成器输出端为该超宽带矢量调制芯片输出端，功分器输出端与两个衰减器输入端相连接，两个衰减器输出端与合成器输入端相连接；功分器该采用威尔金森结构，该合成器采用兰格桥结构；衰减器包括衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管，该衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管之间设置有衰减器电阻。该超宽带矢量调制芯片工作频率覆盖十四吉赫至二十四吉赫，很大程度上拓宽了其使用带宽。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420355241.3

申请日期：2014-06-30

公开/公告号：CN203951449U

公开/公告日：2014-11-19

主分类号：H03H7/21(2006.01)I

申请/专利权人:成都嘉纳海威科技有限责任公司

发明/设计人:陈阳;童伟;胡柳林;吕继平;康婕;文剑澜;欧阳耀果;滑育楠;杨洲

主申请人地址:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种超宽带矢量调制芯片，其特征在于：包括功分器（1）、合成器（3）及两个衰减器（2），所述功分器（1）输入端为超宽带矢量调制芯片输入端，合成器（3）输出端为所述超宽带矢量调制芯片输出端，功分器（1）输出端与两个所述衰减器（2）输入端相连接，两个衰减器（2）输出端与合成器（3）输入端相连接；所述功分器（1）采用威尔金森结构，所述合成器（3）采用兰格桥结构；所述衰减器（2）包括衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4），所述衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4）之间设置有衰减器电阻（5）。