一种六位移相高效高增益固态GaN功放模块

摘要：

本实用新型公开了一种六位移相高效高增益固态GaN功放模块，从输入到输出实现微波功率的合成放大，其特征为所述功放模块的输入端设置有移相器，所述功放模块的每一级放大器的输出端设置有隔离器。本实用新型克服了传统固态半导体器件功放模块的不带相位调节功能、低效率、低热导率、低击穿场强等缺点；GaN宽禁带半导体器件在高功率、高频、高温、体积、重量等方面有绝对优势，其体积、重量只有目前硅Si、砷化镓GaAs的三分之一。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420350407.2

申请日期：2014-06-27

公开/公告号：CN204013423U

公开/公告日：2014-12-10

主分类号：H03G3/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国工程物理研究院应用电子学研究所

发明/设计人:梁勤金;董四华;石小燕;陈世韬;余川;杨光辉;潘文武

主申请人地址:621000 四川省绵阳市919信箱1013分箱

专利代理机构:成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人:卿诚%吴彦峰

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种六位移相高效高增益固态GaN功放模块，从输入到输出实现微波功率的合成放大，其特征为所述功放模块的输入端设置有移相器，所述功放模块的每一级放大器的输出端设置有隔离器。