上升沿检测电路

摘要：

本实用新型公开一种上升沿检测电路，由双稳态存储单元、非对称延迟单元、反相器和多个NMOS晶体管组成，只要非对称延迟电路满足上升沿延迟与下降沿延迟之和大于输入信号的脉冲周期且下降沿延迟很小时，就能够产生最大脉宽接近输入信号脉冲周期的输出信号，可满足后续设备的使用要求。本实用新型不但结构简单，还具有自启动功能，当输入信号的初始低电平长度大于非对称延迟电路的上升沿延迟，就能够实现自启动。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420266581.9

申请日期：2014-05-23

公开/公告号：CN203933573U

公开/公告日：2014-11-05

主分类号：H03K5/1534(2006.01)I

申请/专利权人:大连理工大学

发明/设计人:张建伟;张修哲;吴国强;陈晓明;苗延楠;郑善兴;丁秋红;潘阿成;滕飞;李佳琪;郑钰芷

主申请人地址:116000 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

专利代理机构:大连非凡专利事务所 21220

代理人:闪红霞

国别省市代码:辽宁;21

权利要求：

一种上升沿检测电路，设有输入端S及输出端P，其特征在于：所述输入端S与NMOS晶体管M1的栅极相接，NMOS晶体管M1的源极与NMOS晶体管M2的漏极相接，NMOS晶体管M2的源极接地，NMOS晶体管M1的漏极一路与双稳态存储单元MEM1相接，另一路通过反向器INV1与输出端P相接；双稳态存储单元MEM1的另一端一路与NMOS晶体管M3的漏极相接，另一路通过非对称延迟电路H与NMOS晶体管M3的栅极相接，NMOS晶体管M3的源极接地；与输入端S还接有反向器INV2，反向器INV2的输出端与NMOS晶体管M4的栅极相接，NMOS晶体管M4的漏极与双稳态存储单元MEM2相接，NMOS晶体管M4的源极接地；双稳态存储单元MEM2的另一端一路与NMOS晶体管M2的栅极相接，另一路与NMOS晶体管M5的漏极相接，NMOS晶体管M5的源极接地，NMOS晶体管M5的栅极与非对称延迟电路H的输入端相接。