一种MOSFET输出短路保护线路装置

摘要：

一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路，所述MOSFET驱动电路连有保护线路装置，该MOSFET驱动电路内包括有若干路MOS管、光耦，MOS管的栅极G端由光耦输入控制信号；每路MOS管的源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的MOS管的源极S端通过取样电阻接线路地线，每路MOS管的漏极D端连有负载；本实用新型的有益效果为：本保护线路装置可有效保护MOSFET输出线路在出现输出短接、大电流灌入时不被损坏；且在保护动作触发后，能可靠自锁，切断输出，有效保护负载及驱动线路。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420225263.8

申请日期：2014-05-05

公开/公告号：CN203851118U

公开/公告日：2014-09-24

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:宁波伊士通技术股份有限公司

发明/设计人:王华良;张芳

主申请人地址:315040 浙江省宁波市高新区凌云路1177号1号楼5楼

专利代理机构:杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人:翁霁明

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路（1），其特征在于：所述MOSFET驱动电路（1）连有保护线路装置（2），该MOSFET驱动电路（1）内包括有若干路MOS管（11）、光耦（12），MOS管（11）的栅极G端由光耦（12）输入控制信号；每路MOS管（11）的源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的MOS管（11）的源极S端通过取样电阻（21）接线路地线，每路MOS管（11）的漏极D端连有负载（3）。