一种基于QLED光源的光刻机

摘要：

本实用新型提供一种基于QLED光源的光刻机，包括发光控制器，QLED阵列，透镜组，图形发生器，投影光路，基片和移动平台；所述QLED阵列安装在发光控制器上，组成QLED光源光学系统；所述透镜组位于QLED光源光学系统的右上方，与QLED阵列同轴，所述图形发生器位于透镜组同轴的右上方，所述投影光路位于图形发生器与移动平台之间，并垂直于移动平台，所述基片固定于移动平台上；所述发光控制器设置QLED阵列的曝光时间和相对辐照强度，所述透镜组用于对光束进行整形，光束经由所述图形发生器以及投影光路实现对基片的曝光。本实用新型采用量子点发光二极管QLED，解决了现有高压汞灯光源使用寿命短、耗能高、温度高和体积大的问题。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420210344.0

申请日期：2014-04-28

公开/公告号：CN203858450U

公开/公告日：2014-10-01

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海大学

发明/设计人:盛晨航;彭娟;李喜峰;张建华

主申请人地址:200444 上海市宝山区上大路99号

专利代理机构:上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人:陆聪明

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于QLED光源的光刻机，其特征在于，包括发光控制器（1），QLED阵列（3），透镜组（4），图形发生器（5），投影光路（6），基片（7）和移动平台（8）；所述QLED阵列（3）安装在发光控制器（1）上，组成QLED光源光学系统（2）；所述透镜组（4）位于QLED光源光学系统（2）的右上方，与QLED阵列（3）同轴，所述图形发生器（5）位于透镜组（4）同轴的右上方，所述投影光路（6）位于图形发生器（5）与移动平台（8）之间，并垂直于移动平台（8），所述基片（7）固定于移动平台（8）上；所述发光控制器（1）设置QLED阵列（3）的曝光时间和相对辐照强度，所述透镜组（4）用于对光束进行整形，光束经由所述图形发生器（5）以及投影光路（6）实现对基片（7）的曝光。