一种弱信号的高频噪声抑制电路

摘要：

本实用新型提供一种弱信号的高频噪声抑制电路，包括电容C1，电容C1的一端与信号输入端和电阻R3的一端连接，电容C1的另一端与三极管Q1的基极和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端和三极管Q1的集电极、电阻R2的一端和电容C2的一端连接，三极管Q1的发射极与电阻W1的一端连接，电阻W1的另一端和电源负极连接，电容C2的另一端与二极管D2的负极和二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与电阻R2的另一端和电源正极连接。本实用新型能有效地去除弱信号输入时候带来的高频噪声，解决现有现有弱信号的高频噪声影响声音信号质量的问题。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420177665.5

申请日期：2014-04-13

公开/公告号：CN203761345U

公开/公告日：2014-08-06

主分类号：H03H7/01(2006.01)I

申请/专利权人:陈敏

发明/设计人:陈敏

主申请人地址:350299 福建省福州市长乐市朝阳路朝阳楼B座104

国别省市代码:福建;35

权利要求：

一种弱信号的高频噪声抑制电路，其特征在于：包括电容C1，电容C1的一端与信号输入端和电阻R3的一端连接，电容C1的另一端与三极管Q1的基极和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端和三极管Q1的集电极、电阻R2的一端和电容C2的一端连接，三极管Q1的发射极与电阻W1的一端连接，电阻W1的另一端和电源负极连接，电容C2的另一端与二极管D2的负极和二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与电阻R2的另一端和电源正极连接，二极管D2的正极与电容C3的一端、电阻R4的一端、场效应管G1的栅极和电阻W2的一端连接，电阻C3的另一端和电阻R4的另一端与电源负极连接，场效应管G1的源极与电容C5的一端、电阻R6的一端和电阻R5的一端连接，电容C5的另一端和电阻R6的另一端与电源负极连接，电阻R5的另一端和电阻W2的一端与电源正极连接，场效应管G1的漏极与电容C4的一端连接，电容C4的另一端和电阻R3的另一端和电容C6的一端连接，电容C6的另一端与信号输出端连接。