一种基于形状工程的可编程纳磁体择多逻辑门电路

摘要：

本实用新型公开了一种基于形状工程的可编程纳磁体择多逻辑门电路，包括第一纳磁体、第二纳磁体、第三纳磁体、第四纳磁体及第五纳磁体，第一纳磁体及第二纳磁体分别设置于第三纳磁体的左侧及右侧，第四纳磁体及第五纳磁体分别设置于第三纳磁体的上侧及下侧；所述第二纳磁体的横截面及第三纳磁体的横截面均为长方形，第一纳磁体的横截面、第四纳磁体的横截面及第五纳磁体的横截面均为直角梯形，第一纳磁体的横截面中高与下底的比例大于第五纳磁体的横截面中高与下底的比例，第五纳磁体的横截面中高与下底的比例大于第四纳磁体的横截面中高与下底的比例。本实用新型结构简单、紧凑、高效，且无门延时。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420155811.4

申请日期：2014-04-01

公开/公告号：CN203775185U

公开/公告日：2014-08-13

主分类号：H03K19/18(2006.01)I

申请/专利权人:中国人民解放军空军工程大学

发明/设计人:杨晓阔;蔡理;李彦;康强;张立;张斌;张明亮

主申请人地址:710038 陕西省西安市长乐东路甲字1号

专利代理机构:西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人:陆万寿

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种基于形状工程的可编程纳磁体择多逻辑门电路，其特征在于，包括位于磁场中的第一纳磁体(1)、第二纳磁体(2)、第三纳磁体(3)、第四纳磁体(4)及第五纳磁体(5)，第一纳磁体(1)及第二纳磁体(2)分别设置于第三纳磁体(3)的左侧及右侧，第四纳磁体(4)及第五纳磁体(5)分别设置于第三纳磁体(3)的下侧及上侧，第一纳磁体(1)、第二纳磁体(2)、第三纳磁体(3)、第四纳磁体(4)及第五纳磁体(5)呈十字型分布；所述第二纳磁体(2)的横截面及第三纳磁体(3)的横截面均为长方形，第一纳磁体(1)的横截面、第四纳磁体(4)的横截面及第五纳磁体(5)的横截面均为直角梯形，第一纳磁体(1)的横截面中高与下底的比例大于第五纳磁体(5)的横截面中高与下底的比例，第五纳磁体(5)的横截面中高与下底的比例大于第四纳磁体(4)的横截面中高与下底的比例；所述第三纳磁体(3)横截面上的长正对第一纳磁体(1)横截面上的下底及第二纳磁体(2)横截面上的长，第三纳磁体(3)横截面上的宽正对第四纳磁体(4)横截面上的高及第五纳磁体(5)横截面上的高。