一种新型IGBT/MOSFET驱动电路

摘要：

本实用新型提供一种IGBT/MOSFET的驱动电路，该电路由通用的元件构成，可降低控制电路设计商的制造成本和风险。其技术方案是使用廉价的三级三极管驱动电路替代常规的专用集成驱动IC，对大电流的IGBT/MOSFET进行动控制。第一级和第二级用于实现正逻辑转换，把低压MCU I/O驱动电平转换为15V驱动电平。第三级为推挽式驱动电路，确保驱动目标IGBT管能饱和导通。本实用新型在保证原有性能不变的基础上，大幅降低了驱动电路的材料成本及对供应商的依赖度，增强了控制电路提供商的竞争能力。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420154483.6

申请日期：2014-04-01

公开/公告号：CN203788258U

公开/公告日：2014-08-20

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:佛山市顺德区和而泰电子科技有限公司

发明/设计人:余冠涛

主申请人地址:528303 广东省佛山市顺德大良德胜东路3号华南家电研究院研发楼309室

专利代理机构:广州科粤专利商标代理有限公司 44001

代理人:方启荣%莫瑶江

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种新型IGBT/MOSFET驱动电路，其特征是：包括：脉冲点MCU_PWM、接地点G‑MCU1、驱动电源正P15V、动力电源正Vin、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、二极管D1、二极管D2、稳压二极管ZD1和电容E1；所述晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3是NPN型；所述晶体管Q4是PNP型；所述晶体管Q5是驱动目标；电阻R1的一端电连接至脉冲点MCU_PWM，电阻R1的另一端电连接至晶体管Q1的基极；电阻R2的一端电连接至晶体管Q1的基极，电阻R2的另一端电连接至晶体管Q2的发射极；电阻R3的一端电连接至驱动电源正P15V，电阻R3的另一端电连接至晶体管Q1的集电极；电阻R4的一端电连接至晶体管Q1的集电极，电阻R4的另一端电连接至晶体管Q2的基极；电阻R5的一端电连接至驱动电源正P15V，电阻R5的另一端电连接至晶体管Q2的集电极；晶体管Q1的发射极电连接至接地点G‑MCU1；晶体管Q2的发射极电连接至接地点G‑MCU1；晶体管Q3的基极电连接至晶体管Q2的集电极，晶体管Q3的集电极电连接至驱动电源正P15V，晶体管Q3的发射极电连接至晶体管Q4的发射极；晶体管Q4的基极电连接至晶体管Q2的集电极，晶体管Q4的集电极电连接至接地点G‑MCU1；电阻R6的一端电连接至晶体管Q3的发射极，电阻R6的另一端电连接至晶体管Q5的门极；电阻R7的一端电连接至晶体管Q5的门极，电阻R7的另一端电连接至晶体管Q5的发射极；二极管D1的正极与晶体管Q5的门极电连接，二极管D1的负极与晶体管Q3的发射极电连接；二极管D2的正极与动力电源正Vin电连接，二极管D2的负极与电容E1的正极电连接；电容E1的负极与接地点G‑MCU1电连接；稳压二极管ZD1的正极与晶体管Q5的发射极电连接，稳压二极管ZD1的负极与晶体管Q5的门极电连接；晶体管Q5的集电极与动力电源正Vin电连接，晶体管Q5的发射极与接地点G‑MCU1电连接。