一种低成本片上振荡器

摘要：

本实用新型提出一种低成本片上振荡器，能够很大程度上节约芯片面积，降低芯片的制造和设计成本。该片上振荡器包括比较器、偏置电流产生器、参考电压产生电路和充电通路；所述偏置电流产生器提供的偏置电流还分别接入参考电压产生电路和充电通路，在参考电压产生电路中形成偏置电流源K*IB，在充电通路中形成偏置电流源IB；所述参考电压产生电路中偏置电流源K*IB与电阻R0串联接地，分压节点位于偏置电流源K*IB与电阻R0之间。本实用新型不仅具备传统方案的优点，同时又能够很大程度上节约芯片面积，降低了芯片的制造成本；对工程人员而言，还降低了周期计算和电路设计的难度，从而缩短了芯片的设计开发时间。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420147586.X

申请日期：2014-03-28

公开/公告号：CN203800900U

公开/公告日：2014-08-27

主分类号：H03H3/04(2006.01)I

申请/专利权人:西安华芯半导体有限公司

发明/设计人:谢永宜;俞冰

主申请人地址:710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

专利代理机构:西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人:胡乐

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种低成本片上振荡器，包括比较器、偏置电流产生器、参考电压产生电路和充电通路，偏置电流产生器为比较器提供其工作所需的偏置电流；在充电通路上开关B与电容C0串联接地；比较器的反相输入端接至参考电压产生电路的分压节点，比较器的正相输入端具有两路接线，一路经所述电容C0接地，另一路通过开关A接地；开关A与开关B设置为相反相位，均受比较器的输出控制；其特征在于：所述偏置电流产生器提供的偏置电流还分别接入参考电压产生电路和充电通路，在参考电压产生电路中形成偏置电流源K*IB，在充电通路中形成偏置电流源IB；所述参考电压产生电路中偏置电流源K*IB与电阻R0串联接地，分压节点位于偏置电流源K*IB与电阻R0之间。