一种吸收式单刀八掷开关

摘要：

本实用新型提供一种吸收式单刀八掷开关，解决现有吸收式单刀八掷开关隔离状态下输出端反射系数大、导通状态下损耗大的问题。该开关包括公共输入端与对称分布的八个支路，由金属底板、微带基片以及间隔设置的PIN梁式二极管、第一、第二、第三PIN二极管芯、吸收电阻、隔直电容构成，其中PIN梁式二极管串接公共输入端，隔直电容串接输出端，第三PIN二极管芯与吸收电阻串联后接地，再与第一PIN二极管芯、第二PIN二极管芯并接于PIN梁式二极管负极与隔直电容之间；金属底板在第三PIN二极管芯相应位置开设有凹槽，吸收电阻设置于凹槽内。该开关隔离状态下，具有输出端驻波系数小，带宽较宽的特点，且在导通状态下，还具有损耗小，输入、输出端驻波系数小的优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420096835.7

申请日期：2014-03-04

公开/公告号：CN203775175U

公开/公告日：2014-08-13

主分类号：H03K17/74(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:王玲;肖飞;唐小宏;杨刘均;吴涛;刘勇

主申请人地址:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

专利代理机构:电子科技大学专利中心 51203

代理人:李明光

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种吸收式单刀八掷开关，包括公共输入端与对称分布的八个支路，每个支路由金属底板、设置于金属底板上的微带基片以及间隔设置的PIN梁式二极管（D1）、第一PIN二极管芯（D2）、第二PIN二极管芯（D3）、第三PIN二极管芯（D4）、吸收电阻（R）、隔直电容（C1）构成，其中PIN梁式二极管（D1）设置于微带基片的微带线上,串接在公共输入端与各支路之间，隔直电容（C1）设置于微带线上串接输出端，第三PIN二极管芯（D4）串接吸收电阻后与第一PIN二极管芯（D2）、第二PIN二极管芯（D3）分别设置在金属底板上并接于PIN梁式二极管（D1）负极与隔直电容之间；其特征在于，所述金属底板在第三PIN二极管芯（D4）相应位置开设有凹槽，所述吸收电阻设置于凹槽内。