一种基于忆阻器的施密特触发器电路

摘要：

本实用新型涉及半导体集成电路领域，具体公开了一种基于忆阻器的施密特触发器电路。其技术方案是：本实用新型电路由忆阻器、差分放大电路、电压跟随器三部分组成。利用忆阻器的纳米级，滞回特性来减少回差电压，提高整个电路的灵敏度；利用差分放大电路的参数对称性来提高整个电路的共模抑制比和对输入信号进行放大，利用电压跟随器来降低输出电阻，提高整个电路的带负载能力。本实用新型电路简单，灵敏度高，体积小，功耗低，易于集成电路的制造，适用于信号的整形与变换，脉冲幅度鉴别，多谐振荡器等半导体集成电路领域。 

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420083315.2

申请日期：2014-02-26

公开/公告号：CN203761348U

公开/公告日：2014-08-06

主分类号：H03K3/02(2006.01)I

申请/专利权人:沈大地

发明/设计人:沈大地;沈轶

主申请人地址:201209 上海市浦东新区民区路265弄402

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于忆阻器的施密特触发器电路，其特征在于：所述电路包括忆阻器、差分放大电路、电压跟随器三部分：所述忆阻器的伏安特性曲线具有滞回特性，用来构成反馈回路，减少整个电路的回差电压；所述差分放大电路用于提高整个电路的共模抑制比和对信号的放大；所述电压跟随器用于降低输出电阻，提高整个电路带负载的能力。