一种用于识别光掩膜待量测图形的结构

摘要：

本实用新型提供一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，至少包括：基板及位于其上的图形层；所述图形层表面具有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵每行中相邻两凹槽间的图形层形成第二矩阵单元；当所述第一矩阵任意一行中连续分布的若干凹槽为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个凹槽分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记；当所述第二矩阵任意一行中连续分布的若干第二矩阵单元为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个单元分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记。本实用新型将待量测图形用识别标记加以标注，使其在量测时易于被人工或量测设备所识别，防止发生量测错误，有效提高了半导体制程的效率。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420072328.X

申请日期：2014-02-19

公开/公告号：CN203825357U

公开/公告日：2014-09-10

主分类号：G03F1/44(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明/设计人:田明静

主申请人地址:100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:李仪萍

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，其特征在于，所述用于识别光掩膜待量测图形的结构至少包括： 基板；位于所述基板上表面的图形层； 所述图形层表面刻蚀有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵的每行中相邻两个凹槽之间的图形层形成第二矩阵单元；所述第二矩阵单元的分布构成第二矩阵； 与所述连续分布的若干凹槽中首末两个凹槽分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记； 或者与所述连续分布的若干第二矩阵单元中首末两个单元分别左相邻和右相邻的两个第二矩阵单元上分别具有用于量测的识别标记； 所述用于量测的识别标记为刻蚀于所述图形层表面的第二矩阵单元上的若干窗口，所述若干窗口的刻蚀深度小于所述凹槽的深度。