一种高压可控硅驱动电路装置

摘要：

本实用新型提出了一种高压可控硅驱动电路装置，包括：脉冲校验电路，脉冲校验电路包括：光纤收发器；第一MOSFET管；脉冲放大电路，脉冲放大电路与脉冲校验电路相连，脉冲放大电路包括：瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管的正向端与第二电阻的另一端相连；第三电阻，第三电阻的一端与瞬态抑制二极管的反向端相连；驱动接口芯片，驱动接口芯片的一个管脚与第三电阻的另一端相连；第二MOSFET管；可控硅过电压保护电路，可控硅过电压保护电路与脉冲放大电路相连，可控硅过电压保护电路包括：第一击穿二极管；第二击穿二极管，第二击穿二极管的正向端与第一击穿二极管反向端相连。本实用新型可以直接驱动可控硅，实现了单宽脉冲的放大。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420038421.9

申请日期：2014-01-21

公开/公告号：CN203691367U

公开/公告日：2014-07-02

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:天津市先导倍尔电气有限公司

发明/设计人:李青春;闫文金;段海雁

主申请人地址:300300 天津市东丽区先锋东路109号

专利代理机构:北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419

代理人:王玉松

国别省市代码:天津;12

权利要求：

一种高压可控硅驱动电路装置，其特征在于，包括： 脉冲校验电路，所述脉冲校验电路包括： 光纤收发器； 第一金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，第一MOSFET管的漏极与所述光纤收发器的输出端相连，所述第一MOSFET管的源级接地，所述第一MOSFET管的栅极与第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端与第一发光二极管的正向端相连，所述第一发光二极管的反向端与第二电阻的一端相连； 脉冲放大电路，所述脉冲放大电路与所述脉冲校验电路相连，所述脉冲放大电路包括： 瞬态抑制二极管，所述瞬态抑制二极管的正向端与所述第二电阻的另一端相连； 第三电阻，所述第三电阻的一端与所述瞬态抑制二极管的反向端相连； 驱动接口芯片，所述驱动接口芯片的一个管脚与所述第三电阻的另一端相连； 第二MOSFET管，所述第二MOSFET管的栅极与所述第三电阻的一端相连，所第二MOSFET管的源级与第四电阻的一端相连，所述第四电阻的另一端接地，所述第二MOSFET管的漏极与第五电阻的一端相连，所述第五电阻的另一端与第一电容相连，所述第一电容的另一端接电源正极； 可控硅过电压保护电路，所述可控硅过电压保护电路与所述脉冲放大电路相连，所述可控硅过电压保护电路包括： 第一击穿二极管； 第二击穿二极管，所述第二击穿二极管的正向端与所述第一击穿二极管反向端相连。