一种高性能微带多级低噪声放大器

摘要：

本实用新型提供了一种微带多级低噪声放大器，包括三级依次串接的低噪声放大器、电源、滤波电容和∏型滤波器；所述低噪声放大器各级之间分别连接着两个∏型滤波器；所述电源为两组、分别通过两个滤波电容滤波后为各部件供电；所述低噪声放大器包括FET晶体管、输入匹配电路、输出匹配电路、四分之一波长扇形微带结构、第一分压电路和第二分压电路。本实用新型公用两组电源，整体结构简化、集成度高；各级低噪声放大器之间的∏型滤波器能够有效避免各级之间的传导干扰；栅极和漏极供电处引入四分之一波长扇形微带结构，既能防止高频干扰，又能有效滤除电源噪声，因此放大器整体噪声系数小、增益高、增益平坦度小、输入输出驻波比小。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420002918.5

申请日期：2014-01-03

公开/公告号：CN203734624U

公开/公告日：2014-07-23

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:南京信息工程大学

发明/设计人:葛俊祥;马志强;许准;周蓓;李鹏;李家强

主申请人地址:210044 江苏省南京市宁六路219号

专利代理机构:南京众联专利代理有限公司 32206

代理人:顾进%叶涓涓

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种高性能微带多级低噪声放大器，其特征在于：包括三级依次串接的低噪声放大器、电源、滤波电容和∏型滤波器；所述低噪声放大器各级之间分别连接着两个∏型滤波器；所述电源为两组、分别通过两个滤波电容滤波后为各部件供电；所述低噪声放大器包括FET晶体管、输入匹配电路、输出匹配电路、四分之一波长扇形微带结构、第一分压电路和第二分压电路，所述输入匹配电路与FET晶体管的栅极相连，所述输出匹配电路与FET晶体管的漏极相连，所述第一分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的栅极连接、供FET晶体管工作所需要的栅极电压，所述第二分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的漏极连接、供FET晶体管工作所需要的漏极电压。