¹⁵N标记创伤弧菌及其培养基的制备方法

摘要：

本发明的公开了一种¹⁵N标记创伤弧菌及其培养基的制备方法，培养基的制备方法包括下列步骤：（1）¹⁵N稳定性同位素标记光合细菌的培养；（2）¹⁵N标记创伤弧菌培养基的制备。¹⁵N标记创伤弧菌的培养方法包括下列步骤：（1）连续多次转接培养创伤弧菌；（2）高效液相色谱质谱联用技术（LC-MS/MS）验证标记的创伤弧菌菌细胞中蛋白质氮原子的标记效率。本发明提供的方法工艺成本低，为工业化制备氮标记创伤弧菌培养基提供了新的培养基来源。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410834990.9

申请日期：2014-12-30

公开/公告号：CN104531579A

公开/公告日：2015-04-22

主分类号：C12N1/20(2006.01)I

申请/专利权人:山东出入境检验检疫局检验检疫技术中心

发明/设计人:李正义;贾俊涛;赵淑娟;赵鹏;姜英辉;唐静;马云

主申请人地址:266002 山东省青岛市市南区瞿塘峡路70号

专利代理机构:济南泉城专利商标事务所 37218

代理人:褚庆森

国别省市代码:山东;37

权利要求：

 一种¹⁵N标记创伤弧菌培养基的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：（1）¹⁵N稳定性同位素标记光合细菌的培养；（2）¹⁵N标记创伤弧菌培养基的制备。