一种ALN压电薄膜

摘要：

本发明提供了一种ALN压电薄膜，本发明技术方案选用二氧化硅作为衬底，同时在现有技术的ALN层以上引入保护层，从而在不影响其性能的基础上尽可能延长其使用寿命。本发明技术方案设计合理，且易于实现，具有良好的推广应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410516015.3

申请日期：2014-09-30

公开/公告号：CN105529998A

公开/公告日：2016-04-27

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:天津市泛凯科贸有限公司

发明/设计人:彭志刚

主申请人地址:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区火炬大厦4026室

专利代理机构:天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人:韩敏

国别省市代码:天津;12

权利要求：

一种ALN压电薄膜，其特征在于包括保护层(1)，ALN层(2)，二氧化硅层(3)，其中二氧化硅层(3)位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层(1)位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN层(2)上表面与保护层(1)相贴合，ALN层(2)下表面与二氧化硅层(3)相贴合。