一种耐高低温阻抗变换器的制备方法

摘要：

本发明涉及一种耐高低温阻抗变换器的制备方法，属于微波技术领域。所述方法用真空气相沉积方法对干燥清洁的磁环整体进行聚对二甲苯真空气相沉积涂覆；在涂覆后的磁环上绕漆包线；将绕有漆包线的磁环焊接到印制板上，得到所述阻抗变换器；对阻抗变换器用聚对二甲苯真空气相沉积方法进行涂覆，得到所述耐高低温阻抗变换器。所述方法根据航天产品应用环境的特点，解决了现有阻抗变换器制作方法不能满足航天产品应用需求的问题，所述方法制得的阻抗变换器可适应-180℃～+120℃的温差变化以及高达1000V电压的工作环境。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410453399.9

申请日期：2014-09-05

公开/公告号：CN104242854A

公开/公告日：2014-12-24

主分类号：H03H3/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院电子学研究所

发明/设计人:王淑芝;卢伟;纪奕才;方广有

主申请人地址:100080 北京市海淀区北四环西路19号

专利代理机构:北京理工大学专利中心 11120

代理人:杨志兵%郭德忠

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种耐高低温阻抗变换器的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：(1)用真空气相沉积方法对干燥清洁的磁环整体进行聚对二甲苯真空涂覆；(2)在涂覆后的磁环上绕漆包线；(3)将绕有漆包线的磁环焊接到印制板上，得到阻抗变换器；(4)对阻抗变换器用真空气相沉积方法进行聚对二甲苯真空涂覆，得到一种耐高低温阻抗变换器；步骤(1)和步骤(2)中真空涂覆的聚对二甲苯涂层厚度分别为20μm～25μm；真空气相沉积方法符合美军标MIL‑I‑46058；磁环为宇航级磁环；漆包线为聚酰亚胺漆包线，执行标准为GB/T6109.6；聚对二甲苯为符合美军标MIL‑I‑46058的C型聚对二甲苯和/或N型聚对二甲苯。