一种新型光MOS继电器

摘要：

本发明提供一种新型光MOS继电器，其特征在于：输入端由红外LED二极管组成，其中输入端的pin1连接红外LED二极管的“+”极、输入端的pin2连接红外LED二极管的“-”极；输出端由PDA和集成有ESD和反向恢复二极管的MOSFET组成，其中PDA的“+”极连接MOSFET的G极、PDA的“-”极连接MOSFET的S极；MOSFET的D极与输出端的pin4、pin6连接，MOSFET的S极与输出端的pin5连接；上述红外LED二极管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢复二极管均位于同一平面内；输入端和输出端间通过透明或半透明树脂的内包封和外层黑色包封料包封组成。本发明使光MOS继电器的抗静电能力提高，输入输出之间的介质耐压提高，其通态、开关损耗均均有大幅度降低、也提高了开关速度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410442738.3

申请日期：2014-09-02

公开/公告号：CN104184445A

公开/公告日：2014-12-03

主分类号：H03K17/785(2006.01)I

申请/专利权人:阳琳玲

发明/设计人:阳琳玲

主申请人地址:361000 福建省厦门市湖里区悦华路117号A8-802室

专利代理机构:厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207

代理人:钟毅虹

国别省市代码:福建;35

权利要求：

一种新型光MOS继电器，其特征在于：输入端由红外LED二极管组成，其中输入端的pin1连接红外LED二极管的“+”极、输入端的pin2连接红外LED二极管的“‑”极；输出端由PDA和集成有ESD和反向恢复二极管的MOSFET组成，其中PDA的“+”极连接MOSFET的G极、PDA的“‑”极连接MOSFET的S极；MOSFET的D极与输出端的pin4、pin6连接，MOSFET的S极与输出端的pin5连接；上述红外LED二极管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢复二极管均位于同一平面内；输入端和输出端间通过透明或半透明树脂的内包封和外层黑色包封料包封组成。