一种新型低功耗比较器

摘要：

本发明公开了一种新型低功耗比较器电路及其实现方法，所述的比较器电路包括输入端、电流镜有源负载和尾电流源；所述比较器的实现方法包括如下步骤：首先将一路参考电压和两路待比较电压作为输入信号，两路比较器进行比较后通过输出端将结果输出。本发明仅采用七个MOS管（三个PMOS管、四个NMOS管或四个PMOS管、三个NMOS管）实现，简化了电路结构，具有低功耗、低成本、高可靠性的特性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410435979.5

申请日期：2014-09-01

公开/公告号：CN104202022A

公开/公告日：2014-12-10

主分类号：H03K5/22(2006.01)I

申请/专利权人:长沙景嘉微电子股份有限公司

发明/设计人:沈磊

主申请人地址:410205 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

一种新型低功耗比较器电路及其实现方法，实现电路有两种，其中一种实现电路的特征在于：它包括PMOS管M1、M2、M3，NMOS管M4、M5、M6、M7，其中PMOS管M1的栅极接PMOS管M2的栅极，源极接电源（VDD），漏极接输出端V_O2；PMOS管M2的栅漏短接并接PMOS管M1的栅极，同时接到NMOS管M5的漏极，源极接电源（VDD）；PMOS管M3的栅极接PMOS管M2的栅极，源极接电源（VDD），漏极接输出端（V_O1）；NMOS管M4栅极接输入端（V_i2），源极接NMOS管M7的漏极，漏极接输出端（V_O2）；NMOS管M5的栅极接参考电压（V_REF），源极接NMOS管M7的漏极，漏极接PMOS管M2的漏极；NMOS管M6的栅极接输入端（V_i1），源极接NMOS管M7的漏极，漏极接输出端（V_O1）；NMOS管M7的栅极接外部偏置电压（V_bias），源极接电源地（GND），漏极接NMOS管M4的源极。