一种带有补偿偏置电路的低噪声放大器

引用

摘要：

一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)。这种偏置电路可以对温度，工艺角以及电源电压的变化进行一定的补偿，使得低噪声放大器在不同的工艺角，温度，电源电压下性能保持基本的稳定，或者做出进一步的过补偿调整，以满足实际生产和应用条件下的需求。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410351700.5

申请日期：2014-07-22

公开/公告号：CN104158498A

公开/公告日：2014-11-19

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:江苏星宇芯联电子科技有限公司

发明/设计人:徐厚军;俞志君;姚英姿

主申请人地址:210000 江苏省南京市栖霞区甘家边东108号1幢201室

专利代理机构:南京天华专利代理有限责任公司 32218

代理人:蒋真

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)；其中第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接电源(VCC)，栅极与第二电阻(R2)和第三电阻(R3)连接，第二电阻(R2)的另一端连接电源(VCC)，第三电阻(R3)的另一端连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极和第三NMOS晶体管(M3)的栅极，第三NMOS晶体管(M3)的栅极经过第一电容(C1)连接到地，第二NMOS晶体管(M2)的栅极连接第一NMOS晶体管(M1)的源极，第一NMOS晶体管(M1)的源极通过第一电阻(R1)连接到地；第二NMOS晶体管(M2)的源极直接连接到地；第三NMOS晶体管(M3)的漏极连接第四电阻(R4)，第四电阻(R4)为低噪声放大器的共栅晶体管(M6)的栅极提供偏置电压，并经过第三电容(C3)连接到地，第四电阻(R4)的另一端连接电源(VCC)，第三NMOS晶体管(M3)的源极连接第四NMOS晶体管(M4)的漏极和栅极，第四NMOS晶体管(M4)经过第五电阻(R5)给低噪声放大器的共源放大管(M5)的栅极提供偏置电压，并经过第二电容(C2)连接到地，第四电阻(R4)的源极接地。

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