一种分段电容阵列型逐次逼近模数转换器校准结构及方法

摘要：

本发明公开了一种分段电容阵列型逐次逼近模数转换器校准结构,包括主DAC、比较器和数字逻辑控制器，主DAC采用分段式电容阵列结构，其中，自最高段电容阵列至低段电容阵列、相邻两段电容阵列之间均分别设有桥接电容，次高段电容端与地之间设有可变电容；通过比较器判断电容阵列的输出电压V与0之差，并将可变电容的电容值置于满足采用校准的分段式电容阵列结构之前的电容阵列二分算法的电容值，即校准临界点，以达到校准目的。本发明校准方法是由数字逻辑控制器的工作时序实现，可以消除由于生产工艺偏差及非理想寄生效应带来的桥接电容失配，进而消除桥接电容失配造成的模数转换器非线性误差，提高其转换精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410328269.2

申请日期：2014-07-10

公开/公告号：CN104124967A

公开/公告日：2014-10-29

主分类号：H03M1/10(2006.01)I

申请/专利权人:天津大学

发明/设计人:赵毅强;张赟;戴鹏;胡凯;何家骥

主申请人地址:300072 天津市南开区卫津路92号

专利代理机构:天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人:李丽萍

国别省市代码:天津;12