一种小型化低功耗MOSFET管驱动电路的设计实现方法

摘要：

本发明涉及一种小型化低功耗MOSFET开关管驱动电路的设计实现方法。其目的在于减小氮化镓功率管电源时序和调制电路的电路尺寸,简化设计,提高电源时序和调制电路的性能指标和可靠性。本发明通过控制一个NPN双极性晶体管和一个PNP双极性晶体管的通断来分别实现MOSFET开关管栅极的充电和放电过程，从而实现氮化镓功放管漏极电源的调制功能,解决了驱动电路所需要的电阻功耗大，占用空间大的难题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410321831.9

申请日期：2014-07-07

公开/公告号：CN104052447A

公开/公告日：2014-09-17

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:中国船舶重工集团公司第七二四研究所

发明/设计人:徐小帆;梁星霞

主申请人地址:210003 江苏省南京市中山北路346号

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种小型化低功耗MOSFET开关管驱动电路的设计实现方法，其特征为：通过控制一个NPN双极性晶体管和一个PNP双极性晶体管的通断来分别实现MOSFET开关管栅极的充电和放电过程，从而实现MOSFET开关管的驱动。