一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法

摘要：

本发明提供一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法，所述的方法在照明系统经扩束后由光纤引入光路，经过聚光镜均匀照明标记光栅，标记光栅经第一远心成像系统，再由棱镜成像在硅片表面，被反射后经过棱镜，第二远心成像系统；通过分光棱镜将光路分成两支，两支光路结构相同，每支光路都通过横向剪切板，平行平板形成干涉图样和目标像由检测光栅调制，经过检偏器，再由光电探测器和电路解调，硅片焦面位置的移动引起调制光强发生正弦变化，根据两支光路光强的正弦变化，求出标记光栅相位变化，确定标记光栅像的平移量，从而求出焦面位置的变化量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410308999.6

申请日期：2014-07-01

公开/公告号：CN104049474A

公开/公告日：2014-09-17

主分类号：G03F7/207(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院光电技术研究所

发明/设计人:冯金花;胡松;何渝;李艳丽

主申请人地址:610209 四川省成都市双流350信箱

专利代理机构:北京科迪生专利代理有限责任公司 11251

代理人:杨学明%顾炜

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法，其特征在于：该方法按照入射光的传播方向包括照明系统经扩束后由光纤引入光路，经过聚光镜均匀照明标记光栅，标记光栅经第一远心成像系统，再由棱镜成像在硅片表面，被反射后经过棱镜，第二远心成像系统；通过分光棱镜将光路分成两支，两支光路结构相同，每支光路都通过横向剪切板，平行平板形成干涉图样和目标像由检测光栅调制，经过检偏器，再由光电探测器和电路解调，硅片焦面位置的移动引起调制光强发生正弦变化，根据两支光路光强的正弦变化，求出标记光栅相位变化θ，确定标记光栅像的平移量ΔX，从而求出焦面位置的变化量ΔZ。