一种基于交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器电路

摘要：

一种交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器，包括CG输入级、级联级、电阻负载级，CG输入级包括NMOS管M2，级联级包括NMOS管M3。电阻负载级包括电阻R_L1和R_L，M2的源极通过节点X连接至地，漏极接至电阻R_L1负端，R_L1正端接至电源V_DD，M3的漏极连接至电阻R_L2负端，R_L2正端接至电源V_DD，射频输入信号V_i从节点X输入，从M2的漏极输出信号Vout+，从M3的漏极输出信号Vout-，M3的栅极通过耦合电容连接节点X，M2的栅极通过耦合电容连接M3的源极，串联的信号源和信号源内阻通过耦合电容串接于节点X，V_b2、V_b3分别通过偏置电阻为M2和M3提供偏置电压。本发明的优点在于：通过在CG输入级和级联级之间使用电容交叉耦合反馈技术，使放大器获得低的噪声指数的同时又具有低功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410300735.6

申请日期：2014-06-25

公开/公告号：CN104065346A

公开/公告日：2014-09-24

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明/设计人:郭本青

主申请人地址:230001 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号

专利代理机构:深圳市博锐专利事务所 44275

代理人:张明

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

一种交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器，包括CG输入级、级联级、电阻负载级，所述CG输入级包括NMOS管M2，级联级包括NMOS管M3。电阻负载级包括电阻R_L1和电阻R_L，所述NMOS管M2的源极连接节点X，NMOS管M2的漏极连接至电阻R_L1负端，电阻R_L1正端接至电源V_DD，NMOS管M3的漏极连接至电阻R_L2负端，电阻R_L2正端接至电源V_DD，射频输入信号V_i从节点X处输入，从NMOS管M2的漏极输出信号Vout+，从NMOS管M3的漏极输出信号Vout‑，其特征在于：所述NMOS管M3的栅极通过耦合电容连接到节点X，NMOS管M2的栅极通过耦合电容连接到节点M，节点M连接到NMOS管M3的源极，依次串联的信号源Vs和信号源内阻Rs，通过耦合电容串接于节点X，V_b2、V_b3分别通过偏置电阻为NMOS管M2和M3提供偏置电压。