一种射频开关组件
本发明公开了一种射频开关组件,所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55);所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1;所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3;所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2;所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4。本发明通过在NMOS管两端并联电感的方法消除NMOS管产生的寄生电容的影响,有效提高了隔离度,同时本发明的电路结构简单,成本低。
发明专利
CN201410292997.2
2014-06-25
CN104079275A
2014-10-01
H03K17/56(2006.01)I
北京七星华创电子股份有限公司
马晓刚;张继英
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
郝瑞刚
北京;11
一种射频开关组件,其特征在于,所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55);所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1;所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3;所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2;所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4;所述NMOS管M1的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接,所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vct1连接;所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端(33)连接;所述公共端(33)连接天线;所述电感L1并联在所述NMOS管M1的两端;所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接;所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接;所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端;所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地;所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端;所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。