一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器

摘要：

本发明公开了一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器，包括抗单粒子反转（Single Event Upset，SEU）加固和抗多节点反转（Multiple Node Upset,MBU）加固。该方案基于DICE单元实现SR锁存器功能，可以配置为正、负逻辑SR锁存器。本发明通过外部逻辑扩展可以改变为任何已知形式的锁存器或触发器。本发明可以作为存储器或抗辐射的存储器。本发明可以用于将不抗辐射的电路扩展为抗辐射的电路。本发明特有的控制PMOS管，通过PMOS管的关断来隔离SEU错误向相邻节点的传播，避免发生多节点反转，提高SR锁存器的SEU加固能力，提高集成电路的抗SEU能力。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410287632.0

申请日期：2014-06-24

公开/公告号：CN104022773A

公开/公告日：2014-09-03

主分类号：H03K19/003(2006.01)I

申请/专利权人:河海大学常州校区

发明/设计人:王海滨;林善明;谢迎娟;单鸣雷;刘玉宏;刘翔

主申请人地址:213022 江苏省常州市晋陵北路200号

专利代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人:董建林

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器，其特征在于：包括基于DICE的SR锁存器单元，其用来锁存输入信号状态；反相器控制PMOS单元，其用来控制基于DICE的SR锁存器单元中的反相器的反馈回路的通断；控制逻辑产生单元，其用来产生反相器控制PMOS单元所需的输入控制信号。