一种电平位移电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种具有与耐压管输出端直接相连的后级反相器栅极保护结构的电平位移电路。本发明电平位移电路，包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输出结构(5)；其特征在于，在电平位移电路(1)和高端CMOS电路(3)之间还连接有后级CMOS钳位电路(2)。本发明的有益效果为，可以有效的防止由于电压浮动造成取样电阻上压降变化较大导致与功率MOS管输出直接相连接的后级反相器栅氧化层可能被击穿的问题。本发明尤其适用于电平位移电路。
发明专利
CN201410277566.9
2014-06-19
CN104038209A
2014-09-10
H03K19/0185(2006.01)I
电子科技大学
乔明;黄军军;薛腾飞;马金荣;齐钊;张波
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227
李玉兴
四川;51
一种电平位移电路，包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输出结构(5)；其特征在于，在电平位移电路(1)和高端CMOS电路(3)之间还连接有后级CMOS钳位电路(2)；所述高压电平位移电路(1)由电阻R1和NMOS管N1构成；其中，N1的栅极接外部输入电压VIN，其源极接地GND；所述高端CMOS电路(3)由PMOS管P1和NMOS管N2构成；其中，P1的源极通过电阻R1后接N1的漏极，其栅极接N1的漏极，其漏极接N2的漏极；N2的栅极接P1的栅极，其源极通过后级CMOS钳位电路(2)后接N1的漏极；所述外围自举电路(4)由电容C1和二极管D2构成；其中二极管D2的正极接电源VCC，其负极通过电容C1后接N2的源极，其负极接P1的源极，其负极还通过电阻R1后接N1的漏极；所述半桥电路输出结构(5)由NMOS管N3、N4构成；其中，N3的漏极接外部高压偏置电源VH，其栅极接P1的漏极和N2的漏极，其源极接N2的源极；N4的漏极接N3的源极，其栅极接低压控制信号，其源极接地GND。