一种在线确定光刻工艺窗口的方法

摘要：

一种在线确定光刻工艺窗口的方法，通过扫描电子显微镜对晶圆表面图形的关键尺寸进行量测并生成数据；扫描电子显微镜根据量测数据生成泊松曲线和图片矩阵，然后淘汰不可用的并保留可用的泊松曲线，剔除有图形倒塌等不合格的并保留合格的图片；最后扫描电子显微镜根据选择过的泊松曲线和图片矩阵，快速准确的报告出能量梯度、可用焦深、最佳能量和最佳焦距；本发明能够缩短光刻工艺中关键参数的判断和调整周期，实现在线快速准确确定最佳的光刻工艺窗口的大小，缩短获得光刻工艺窗口的时间，并提高光刻图形的质量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410261076.X

申请日期：2014-06-12

公开/公告号：CN103995439A

公开/公告日：2014-08-20

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:李中华;毛智彪;甘志锋

主申请人地址:201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人:吴世华%林彦之

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种在线确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：用扫描电子显微镜对已在光刻机上完成刻蚀的晶圆表面图形的关键尺寸进行量测，并对量测点所在区域进行图形扫描，得到对应量测点所在区域的原始图片；从光刻机的数据服务器系统导入每个关键尺寸量测点所在区域在刻蚀时对应的能量和焦距数据；步骤S2：根据步骤S1中得到的具有对应关系的关键尺寸、能量和焦距数据，在扫描电子显微镜中生成对应不同能量下的关键尺寸随焦距变化的泊松曲线，并生成将原始图片按照量测点在晶圆上的分布所形成的图片矩阵；步骤S3：在扫描电子显微镜建立筛选条件，对步骤S2中生成的泊松曲线和图片矩阵进行筛选，淘汰不可信的泊松曲线、保留可用的泊松曲线，并剔除不合格的图片、保留合格的图片；步骤S4：在扫描电子显微镜建立确定光刻工艺窗口的关键参数的报告条件，根据筛选保留的泊松曲线和图片矩阵，报告关键参数，并根据关键参数确定光刻工艺窗口。