一种低相位噪声电感电容压控振荡器
本发明涉及电感电容压控振荡器技术领域，具体涉及一种低相位噪声电感电容压控振荡器。本发明加快了交叉耦合MOS管的电流切换速度，从而减小了交叉耦合MOS管的电流波形占空比，进而降低了交叉耦合MOS管给低相位噪声电感电容压控振荡器带来的相位噪声。另外，本发明减少了后尾电流源NMOS管的陷阱数量，进一步降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。本发明增大交叉耦合负阻所提供的能量，进而增加谐振电路的振荡波形幅度，从而再次降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。
发明专利
CN201410256766.6
2014-06-10
CN104052404A
2014-09-17
H03B7/06(2006.01)I
北京大学
王源;甘善良;贾嵩;张钢刚;张兴
100871 北京市海淀区颐和园路5号
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
李迪
北京;11
一种低相位噪声电感电容压控振荡器，包括基本振荡模块，所述基本振荡模块包括：电源电压Vdd、可变电容Cvar1、可变电容Cvar2、可变电容调节电压Vtune、两端电感ind、固定电容C1、固定电容C2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1和PMOS管Mp2，所述固定电容C1和C2的电容值大小相等，其特征在于，所述低相位噪声电感电容压控振荡器还包括：NMOS管Mn4、固定电容Cc1、固定电容Cc2、尾电流源偏置电压Vbias、电阻R1和电阻R2；所述低相位噪声电感电容压控振荡器在输入差分电压输出节点VCOP处接固定电容Cc1；所述固定电容Cc1的另一端与NMOS管Mn3的栅极相连，取代控制电压Vc；所述NMOS管Mn4的漏极与NMOS管Mn3的漏极相连，所述NMOS管Mn4的衬底和源极短接后接地Gnd；在输入差分电压输出节点VCON处接固定电容Cc2；固定电容Cc2另一端与NMOS管Mn4栅极相连；电阻R1连接在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn3的栅极之间；电阻R2连接在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn4的栅极之间。