一种微波集成放大器电路及其制作方法

摘要：

本发明公开了一种微波集成放大器电路及其制作方法，其中，所述微波集成放大器电路包括：氮化镓高电子迁移率晶体管和与其连接的振荡稳定电路，其中，氮化镓高电子迁移率晶体管和振荡稳定电路具有同一衬底和在衬底上的同一外延结构，且通过位于外延结构中的隔离区进行隔离。本发明的振荡稳定电路中的电阻和电容的设计和制作与氮化镓高电子迁移率晶体管工艺兼容且可以一同形成，这样可以降低制作的复杂性，节约成本；此外，本发明不仅可以提高放大器电路的稳定性，起到抑制振荡的作用，而且还可以减小放大器电路的面积和成本，甚至可以降低后续微波匹配电路的设计难度；另外，还可以避免引线电感的影响，从而有利于提高放大器电路的增益等性能。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410247142.8

申请日期：2014-06-05

公开/公告号：CN104113289A

公开/公告日：2014-10-22

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:苏州能讯高能半导体有限公司

发明/设计人:张乃千

主申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

专利代理机构:北京品源专利代理有限公司 11332

代理人:路凯%邓猛烈

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种微波集成放大器电路，其特征在于，包括：氮化镓高电子迁移率晶体管和振荡稳定电路，其中，所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述振荡稳定电路具有同一衬底和位于所述衬底上的同一外延结构，且通过位于所述外延结构中的隔离区进行隔离；所述外延结构至少包括氮化物沟道层、位于所述氮化物沟道层上的氮化物势垒层和位于所述氮化物沟道层和所述氮化物势垒层的界面的高电子迁移率的导电沟道；所述氮化镓高电子迁移率晶体管还包括栅极、源极和漏极，其中，所述栅极位于所述氮化物势垒层上，所述源极和所述漏极与所述导电沟道为欧姆接触；所述振荡稳定电路还包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和所述第二电极与所述导电沟道为欧姆接触，所述第三电极位于所述氮化物势垒层上且与所述第二电极和所述栅极连接；其中，所述第一电极、所述第二电极和所述导电沟道形成电阻，所述第一电极、所述导电沟道、所述氮化物势垒层和所述第三电极形成第一电容，并联连接的至少一个所述电阻和所述第一电容对形成所述振荡稳定电路。