一种锗晶体码盘分划工艺

摘要：

本发明公开了一种锗晶体码盘分划工艺，其工艺流程为：涂胶→前烘→曝光→中烘→显影→后烘→清洗→镀铬→去胶→检验。本发明的有益效果是：解决了锗晶体码盘图案的制作技术难题，在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案，激光通过码盘上的光栅通道，形成信息场的调制频率，满足激光驾束制导仪的使用。该方法对晶体分划元件的制作具有很好的推广应用价值。可广泛应用于光学仪器分划元件的加工，可用于航天、航空、激光驾束制导系统、红外产品光学系统等。在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410211244.4

申请日期：2014-05-20

公开/公告号：CN103955114A

公开/公告日：2014-07-30

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:河南平原光电有限公司

发明/设计人:苏颖;陈俊霞;张勇;张成群;龚涛;赵科兵;赵淑君

主申请人地址:454001 河南省焦作市工业路1号河南平原光电有限公司

国别省市代码:河南;41

权利要求：

一种锗晶体码盘分划工艺，其特征在于：其工艺流程为：涂胶→前烘→曝光→中烘→显影→后烘→清洗→镀铬→去胶→检验。