一种超宽带CMOS低噪声放大器自动化设计方法及CMOS LNA设备

摘要：

本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Q_s和驱动电压V_od；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410200526.4

申请日期：2014-05-13

公开/公告号：CN103956978A

公开/公告日：2014-07-30

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:重庆邮电大学

发明/设计人:王巍;钟武;徐巍;梁耀;赵辰;冯世娟;袁军

主申请人地址:400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

专利代理机构:重庆华科专利事务所 50123

代理人:康海燕

国别省市代码:重庆;85

权利要求：

一种超宽带CMOS低噪声放大器自动设计方法，其特征在于，输入CMOS LNA设计指标，获取工艺参数；建立短沟道MOSFETs的一阶静态器件方程库，对CMOS LNA的电路性能进行估算，完成晶体管参数的大信号和小信号分析，计算相关信息；建立通用电感源级负反馈的双增益超宽带CMOS LNA电路结构，调用基于噪声和线性功率最佳的矢量空间算法，获得CMOS LNA电路的关键参数；将通用电感源级负反馈的双增益超宽带CMOS LNA电路结构和得到的关键参数导入Cadence模块，完成电路的仿真设计。