EUV光刻装置及其曝光方法

摘要：

本发明提出了一种EUV光刻装置及其曝光方法，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410189147.X

申请日期：2014-05-06

公开/公告号：CN105093836A

公开/公告日：2015-11-25

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司

发明/设计人:郑乐平;许琦欣;王帆;吴飞

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:屈蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种EUV光刻装置，包括：EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统；其中，所述EUV光刻装置分为曝光位和测量位，所述投影系统和工件台位于曝光位，所述掩模面型组合测量系统位于测量位；所述掩模台承载多个反射式掩模，所述EUV光源发出的光线经过所述照明系统、掩模台上的反射式掩模和投影系统照射至工件台上，所述掩模面型组合测量系统在测量位对所述反射式掩模进行面型和位置测量。