一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法

摘要：

本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法，利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准；利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overlay图形；腐蚀用于校准nikon步进式光刻机的标准圆片；利用nikon步进式光刻机曝光overlay图形；通过测试套刻误差，调整nikon步进式光刻机的设备参数；实现nikon步进式光刻机和ASML扫描式光刻机的套刻匹配。优点：GaAs圆片校准ASML扫描式光刻机的焦平面参数简单，操作性强；overlay图形套刻质量的测试是标准测试方法，套刻数据准确性有保障且易得；通用性强。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410147681.4

申请日期：2014-04-14

公开/公告号：CN103984210A

公开/公告日：2014-08-13

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明/设计人:王溯源;彭劲松;高建峰

主申请人地址:210016 江苏省南京市中山东路524号

专利代理机构:南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人:沈根水

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种在GaAs圆片上实现nikon步进式光刻机和ASML扫描式光刻机匹配套刻的方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）制作一块用于ASML扫描式光刻机的掩膜版，该掩膜版包含ASML 和nikon的圆片对准标记图形及第一overlay图形；2）制作一块用于Nikon步进式光刻机的掩膜版，该掩膜版包含第二overlay图形，第二overlay图形和第一overlay图形具有套刻关系且能利用常规测试方法统计出两层的套刻精度；3）利用标准GaAs圆片校准ASML扫描式光刻机的焦平面参数；4）GaAs圆片表面plasma打胶和清洗处理,并涂覆厚度800nm 的DUV光刻胶；5）ASML扫描式光刻机利用步骤1）所述的掩膜版在步骤4）所述的GaAs圆片上曝光ASML 和nikon的对准标记图形以及第一overlay图形A；6）GaAs圆片显影，显影后腐蚀GaAs，去除光刻胶后,重新涂覆厚度800nm 的i‑line光刻胶；7）利用nikon步进式光刻机在GaAs圆片上曝光第二overlay图形，显影后测试两层的套刻精度，补偿nikon步进式光刻机需要调整的参数，实现两台设备的匹配套刻。