一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法

摘要：

本发明涉及一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法，去胶液为无机碱性液，PH值为7-14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30-40%，双氧水1-5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成，将离子注入后晶片装入提篮内，浸入步骤上述去胶液中进行去胶处理，以1次/秒的速度上下抖动，抖动行程为2－4cm，去胶处理20－40s后取出，用去离子水冲洗，用氮气吹干晶片。本发明的整个去胶过程无外力介入，单纯的化学浸泡，对晶片表面无损伤，不会引起应力沉淀；配制简单、成本低、去胶效果显著，可快速去除变性后的光刻胶、废液处理简单、去胶液为无机液对环境无污染。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410146735.5

申请日期：2014-04-11

公开/公告号：CN103955123A

公开/公告日：2014-07-30

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:武汉高芯科技有限公司

发明/设计人:黄立;姚柏文;戴俊碧

主申请人地址:430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

专利代理机构:武汉开元知识产权代理有限公司 42104

代理人:唐正玉

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种离子注入后晶片的湿法去胶液，其特征在于：去胶液为无机碱性液，PH值为7‑14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30‑40%，双氧水1‑5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成。