一种消除直流失调电压的运算放大器电路
本发明公开了一种消除直流失调电压的运算放大器电路，包括两个跨导增益单元、一个阻抗单元、四个开关、三个电容，其中第一跨导增益单元包括4个P型MOS管，第二跨导增益单元包含3个N型MOS管，它们采用尾电流偏置的差分对输入结构，将差分输入转化为电流；阻抗单元包含4个P型MOS管和4个N型MOS管，采用单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流转化为电压并获得足够的增益；电容存储因工艺偏差等因素引起的失调信号，在开关控制闭环下实现直流失调的负反馈，本发明提出的差分输入单端输出运算放大器，通过电容采样失调信号，能有有效解决工艺偏差等因素导致的直流失调问题，电路结构简单，能和标准CMOS工艺兼容，易于应用。
发明专利
CN201410137208.8
2014-04-04
CN103956981A
2014-07-30
H03F3/45(2006.01)I
嘉兴禾润电子科技有限公司
江亮
314006 浙江省嘉兴市凌公塘路3339号（嘉兴科技城）综合楼A座301室
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220
郑立
浙江;33
一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于：包括第一跨导增益单元（1）、第二跨导增益单元（2）、阻抗单元（3）、开关和电容；所述第一跨导增益单元（1）和所述第二跨导增益单元（2）均分别与所述阻抗单元（3）电连接；所述第一跨导增益单元（1）包括4个P型MOS管，分别为P型MOS管（MP1）、P型MOS管（MP2）、P型MOS管（MP3）和P型MOS管（MP4），所述第一跨导增益单元（1）是共源共栅偏置做尾电流源式的差分输入结构，将差分输入电压转化为电流，所述P型MOS管（MP1）的漏极接所述P型MOS管（MP2）的源极，所述P型MOS管（MP1）的栅极接偏置电压（Vpb1），所述P型MOS管（MP2）的栅极接偏置电压（Vpb2），所述P型MOS管（MP3）的源级、所述P型MOS管（MP4）的源级和所述P型MOS管（MP2）的漏级相连，所述P型MOS管（MP3）的栅极和所述P型MOS管（MP4）的栅极分别接放大器电路的差分输入端（Vin）和（Vip）；所述第二跨导增益单元（2）包括3个N型MOS管，分别为N型MOS管（MN1）、N型MOS管（MN2）和N型MOS管（MN3），所述第二跨导增益单元（2）是尾电流偏置的差分对结构，所述N型MOS管（MN1）的源极、所述N型MOS管（MN2）的源极和所述N型MOS管（MN3）的漏级接在一起，所述N型MOS管（MN3）的栅极接偏置电压（Vnb1）；所述阻抗单元（3）包含4个P型MOS管，分别为P型MOS管（MP5）、P型MOS管（MP6）、P型MOS管（MP7）和P型MOS管（MP8），和4个N型MOS管，分别为N型MOS管（MN4）、N型MOS管（MN5）、N型MOS管（MN6）和N型MOS管（MN7），所述阻抗单元（3）是单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益，所述P型MOS管（MP5）的漏级接所述P型MOS管（MP6）的源极，所述P型MOS管（MP7）的漏级接所述P型MOS管（MP7）的源极，所述P型MOS管（MP5）的栅极、所述P型MOS管（MP7）的栅极与所述偏置电压（Vpb1）连接，所述P型MOS管（MP6）的栅极、所述P型MOS管（MP8）的栅极与偏置电压（Vpb2）连接，所述P型MOS管（MP6）的漏级、所述N型MOS管（MN4）的栅极、所述N型MOS管（MN4）的漏级以及所述N型MOS管（MN5）的栅极接在一起，所述N型MOS管（MN4）的源极、所述N型MOS管（MN6）的栅极、所述N型MOS管（MN6）的漏级以及所述N型MOS管（MN7）的栅极接在一起，所述N型MOS管（MN5）的源极和所述N型MOS管（MN7）的漏级接在一起。