一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列
本发明涉及一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，该DAC电容阵列对应C-2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；每个重复单元包括位电容C<sub>n</sub>、寄生电容C<sub>p</sub>、阶间电容C<sub>s</sub>和阶间并联电容C<sub>x</sub>；所述的寄生电容C<sub>p</sub>与位电容C<sub>n</sub>共阳极，阴极接地；所述的阶间并联电容C<sub>x</sub>与阶间电容C<sub>s</sub>并联后，一端与位电容C<sub>n</sub>阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容C<sub>n</sub>阳极连接；所述的位电容C<sub>n</sub>之间和阶间电容C<sub>s</sub>之间均设有横向寄生电容Cx<sub>0</sub>；所述的位电容C<sub>n</sub>之间和阶间电容C<sub>s</sub>之间均存在纵向寄生电容Cp<sub>0</sub>。与现有技术相比，本发明具有分辨率高、面积小、利用率高等优点。
发明专利
CN201410134661.3
2014-04-02
CN104143982A
2014-11-12
H03M1/38(2006.01)I
上海菱沃铂智能技术有限公司
陈云龑
200070 上海市闸北区共和新路912号1501-5室
上海科盛知识产权代理有限公司 31225
赵志远
上海;31
一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列对应C‑2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；每个重复单元包括位电容C<sub>n</sub>、寄生电容C<sub>p</sub>、阶间电容C<sub>s</sub>和阶间并联电容C<sub>x</sub>；所述的寄生电容C<sub>p</sub>与位电容C<sub>n</sub>共阳极，阴极接地；所述的阶间并联电容C<sub>x</sub>与阶间电容C<sub>s</sub>并联后，一端与位电容C<sub>n</sub>阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容C<sub>n</sub>阳极连接；所述的位电容C<sub>n</sub>之间和阶间电容C<sub>s</sub>之间均设有横向寄生电容Cx<sub>0</sub>；所述的位电容C<sub>n</sub>之间和阶间电容C<sub>s</sub>之间均存在纵向寄生电容Cp<sub>0</sub>。