一种高可靠性MOSFET驱动电路
本发明涉及一种应用于功率开关管MOSFET的驱动电路,尤其涉及一种碳化硅MOSFET的驱动电路,属于驱动电路技术领域,为解决现有驱动电路中MOSFET关断时可靠性差的问题而发明。它包括PWM控制电路、驱动脉冲放大电路、驱动电阻R<sub>g</sub>、第一二极管D<sub>1</sub>、电阻R<sub>1</sub>、PNP三极管Q<sub>off</sub>、第二二极管D<sub>2</sub>、电容C。本发明通过PNP三极管Q<sub>off</sub>、电阻R<sub>1</sub>和电容C组成MOSFET关断电路,在MOSFET快速关断时,有效抑制了由密勒电流引起的门极正电压尖峰,同时通过第二二极管D<sub>2</sub>和电容C还可以抑制门极负电压尖峰,保证MOSFET安全、可靠地关断,能充分发挥碳化硅MOSFET的性能优势。
发明专利
CN201410132304.3
2014-04-03
CN103944549A
2014-07-23
H03K17/567(2006.01)I
南京航空航天大学
秦海鸿;钟志远;聂新;朱梓悦;谢昊天
210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
江苏;32
本发明涉及一种高可靠性MOSFET驱动电路,包括产生驱动信号的PWM控制电路,所述控制电路由第一直流电源(V<sub>CC1</sub>)供电,与所述控制电路连接的驱动脉冲放大电路,所述驱动脉冲放大电路由第二直流电源(V<sub>CC2</sub>)供电,与所述驱动脉冲放大电路连接的驱动电阻(R<sub>g</sub>)及电阻(R<sub>1</sub>),与驱动电阻(R<sub>g</sub>)相连的第一二极管(D<sub>1</sub>),连接于电阻(R<sub>1</sub>)另一端子的PNP三极管(Q<sub>off</sub>),其发射极与第一二极管(D<sub>1</sub>)和第二二极管(D<sub>2</sub>)的阴极相连,与PNP三极管(Q<sub>off</sub>)集电极相连的电容(C),其特征在于:MOSFET的关断电路由PNP三极管(Q<sub>off</sub>)、电阻(R<sub>1</sub>)、第二二极管(D<sub>2</sub>)和电容(C)组成。