一种宽动态互补式可变增益放大器

摘要：

本发明公开了一种宽动态互补式可变增益放大器，包括整体电路，该电路采用半导体工艺进行加工制造。本电路由多个晶体管，以及电感和电阻组成。电路的主要创新点即为各个晶体管以及电感和电阻的连接方式。该连接所组成的电路能够解决现有同类电路所存在的问题，从而提供更好的电路性能。本发明能够实现增益的连续模拟控制，也能够实现多位数字控制。因此，该电路非常适合应用于各种高速通信系统。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410121186.6

申请日期：2014-03-27

公开/公告号：CN103872999A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：H03F3/21(2006.01)I

申请/专利权人:西安邮电大学

发明/设计人:张博;朱婧;刘维红;吴昊谦

主申请人地址:710061 陕西省西安市长安南路563号西安邮电大学

专利代理机构:北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人:汤东凤

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种宽动态互补式可变增益放大器，其特征在于，包括整体电路，在整体电路中，晶体管M1位于电路最下方，晶体管M2和M3的源极与M1的漏极相连，M2和M3的栅极为整体电路的输入端Input+和Input‑；晶体管M4的源极和晶体管M2的漏极相连，晶体管M5的源极和晶体管M3的漏极相连，晶体管M4和晶体管M5的栅极相连并最为电路增益控制端Vca；晶体管Mb1到Mbn的源极与M2的漏极和M4的源极相连，晶体管Mb1到Mbn的漏极与M3的漏极和M5的源极相连，晶体管Mb1到Mbn的栅极分别连接电路增益控制端Vcb(n+1)到Vcb2n，晶体管Mb1到Mbn的具体数量由电路所需增益控制范围和精度决定；晶体管M4和M5的漏极分别作为电路输出端Output+和Output‑；晶体管Ma1到Man的源极与M4的漏极相连，晶体管Ma1到Man的漏极与M5的漏极相连，晶体管Ma1到Man的栅极分别连接电路增益控制端Vcb1到Vcbn；电感L1和电阻R1相连，并连接在晶体管M4的漏极与供电端VCC之间；电感L2和电阻R2相连，并连接在晶体管M5的漏极与供电端VCC之间。