一种低电源电压可编程增益放大器

摘要：

本发明公开了一种低电源电压可编程增益放大器，包括主跨导级电路、从跨导级电路和输出级电路；该可编程增益放大器的尾电流源偏置在线性区，使用了一个与差分输入跨导级成比例复制的跨导级与差分输入跨导级构成主从结构，主跨导级尾电流源的栅极、差分输入管的栅极分别与运放中的从跨导级对应端口相连。本发明提供的低电源电压可编程增益放大器，基于主从结构，结构简单，通过标准CMOS工艺即可实现；将晶体管偏置在线性区和亚阈值区，进一步降低了电路工作的电源电压；丰富了低电源电压环境下的电路结构形式，拓展了低功耗可编程增益放大器的应用范围；以简单的结构实现了在低电压下的正常工作，大幅度降低了功耗，并且能够良好维持各项性能。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410114822.2

申请日期：2014-03-26

公开/公告号：CN103873001A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：H03F3/45(2006.01)I

申请/专利权人:东南大学

发明/设计人:吴建辉;赵超;姚红燕;黄成;李红;陈超

主申请人地址:214135 江苏省无锡市菱湖大道99号

专利代理机构:南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人:杨晓玲

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种低电源电压可编程增益放大器，其特征在于：包括主跨导级电路、从跨导级电路和输出级电路；所述主跨导级电路包括：构成主输入差分对的第十六PMOS管M16和第十七PMOS管M17，构成主电流源和偏置的第一电流源I1、第十三PMOS管M13、第十五NMOS管M15、第十四NMOS管M14、第十八PMOS管M18和第十九PMOS管M19，作为主源退化电阻的第四电阻R4；所述从跨导级电路包括：构成从输入差分对的第一PMOS管M1和第二PMOS管M2，构成从电流源的第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7和第八PMOS管M8，作为从源退化电阻的第一电阻R1；用于提高电路线性度的第三PMOS管M3和第四PMOS管M4；所述输出级电路包括：构成输出电流源的第十一NMOS管M11和第十二NMOS管M12，用于共模反馈进行共模电压调整的第九PMOS管M9和第十PMOS管M10，用于实现放大器可编程增益效果的可变第二电阻R2和可变第三电阻R3；其中，主跨导级电路和从跨导级电路中，对应的晶体管的宽长比分别对应成比例；第七PMOS管M7和第八PMOS管M8工作在线性区，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2工作在亚阈值区。