一种铬板制造工艺中残余点的处理方法

摘要：

本发明提供一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，其包括的步骤：一是基片清洗；二是溅射镀膜；三是一次光刻，在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光将图形复制到铬膜层上面；四是二次光刻，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点，藉由前述结构或其构造的结合，实现了该处理方法，从而达成了可在较低的环境洁净度下彻底清除阳区中的小岛缺陷，且可批量生产以及保证品质的良好效果。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410110349.0

申请日期：2014-03-24

公开/公告号：CN103869610A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:武汉正源高理光学有限公司

发明/设计人:陈翻;范利康

主申请人地址:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学科技园三路

专利代理机构:北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人:张瑾

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，其特征在于：该方法包括：步骤一，基片清洗：将玻璃基片表面清洗干净；步骤二，溅射镀膜：在玻璃基片表面镀上一层不透光的铬膜层及氧化铬抗反射涂层；步骤三，一次光刻：在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光，将图形复制到铬膜层上面；步骤四，二次光刻：承接步骤三，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点。