一种穿透晶圆的光刻对准方法

摘要：

本发明涉及一种穿透晶圆的光刻对准方法。包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆划分为若干个曝光单元，所述曝光单元上形成有前段晶圆对准标记；制作第一光罩，通过晶圆切口对准方式将所述第一光罩与所述晶圆对准，并打开所述多个前段晶圆对准标记；制作第二光罩，通过光刻机对准系统将所述第二光罩与所述第一光罩已打开的多个前段晶圆对准标记对准，打开所述晶圆的所有前段晶圆对准标记，并在后续的光刻工艺中正常曝光并采用套刻值补偿的方式实现器件的精确对准。本发明的技术方案提高了现有技术三维集成电路制程中光刻对准的精度，同时本发明的方法可以适用于不同的前段制程以及Si基底的厚度，满足三维集成电路光刻工艺中精确对准的要求。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410108260.0

申请日期：2014-03-21

公开/公告号：CN103869638A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:武汉新芯集成电路制造有限公司

发明/设计人:邹文;陈俊;胡胜

主申请人地址:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

专利代理机构:北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人:杨立

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种穿透晶圆的光刻对准方法，包括以下步骤：a）提供已进行晶圆键合的晶圆，并将所述晶圆放置到光刻机的工件台上；所述晶圆包括硅基底，所述硅基底的正面和背面分别生长有前段氧化层和后段氧化层；所述后段氧化层划分为若干个曝光单元，所述每个曝光单元边缘处均设有用于确定所述曝光单元位置的前段晶圆对准标记；b）制作第一光罩，将所述第一光罩放置到光刻机上所述晶圆的上方，通过晶圆切口对准方式将所述第一光罩与所述晶圆对准，并通过所述第一光罩对多个前段晶圆对准标记上方的前段氧化层和硅基底进行光刻、蚀刻和薄膜气相沉积，直至露出所述晶圆上多个曝光单元的前段晶圆对准标记；c）制作第二光罩，通过光刻机对准系统将所述第二光罩与所述第一光罩上已打开的多个前段晶圆对准标记对准，并通过所述第二光罩对所有前段晶圆对准标记上方的前段氧化层和硅基底进行光刻、蚀刻和薄膜气相沉积，直至露出所述晶圆的所有曝光单元的前段晶圆对准标记，然后在后续的光刻工艺中正常曝光并采用套刻值补偿的方式实现器件的精确对准。