一种疏水表面光刻工艺

摘要：

本发明能够实现在超疏水介质表面厚度均匀且100%覆盖的涂布光刻胶，从而得到厚度均匀且与衬底结合牢靠的光刻胶图形。本发明中不采用等离子体处理疏水介质表面，也没有后续的高温处理过程，整个工艺过程与光刻胶能承受的温度范围兼容，不仅可以在最大程度上避免疏水介质疏水性的降低，也可以应用于不耐高温的柔性基底上。本发明可以实现在各种疏水或超疏水介质表面的微加工光刻工艺。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410101277.3

申请日期：2014-03-19

公开/公告号：CN103885300A

公开/公告日：2014-06-25

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:南京晶奥微光电技术有限公司

发明/设计人:肖长诗;徐庆宇;梁学磊

主申请人地址:210000 江苏省无锡市江宁区经济技术开发区胜太路68号

专利代理机构:北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人:汤东凤

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种疏水表面光刻工艺，其特征在于包括以下步骤：步骤一，在衬底（4）上旋图3%质量百分比浓度的透明氟树脂材料CYTOP，旋涂转速为1000转/分,然后在180℃的热板上烘烤10分钟，使之固化，形成厚度约400纳米的超疏水层（3）;步骤二，在步骤二所制得的超疏水层（3）采用电子束蒸发镀膜形成一层牺牲层（2），蒸镀速率为1埃/秒，厚度约为40纳米，所采用的镀膜为二氧化硅（SiO₂）或者金（Au）膜;步骤三，在步骤二所制得的牺牲层（2）上旋图光刻胶，形成光刻胶层（1），旋涂转速为3000转/分，旋图后进行烘烤，烘烤的温度为90‑120oC，烘烤时间为1‑3分钟;步骤四，对步骤三所形成的光刻胶层（1）在商用紫外光刻机（SUSSMJB4）上进行紫外曝光，曝光后在90‑100℃下烘烤约1‑5分钟，烘烤完毕后进行显影，显影的时间为1‑5分钟，之后进行定影，定影的时间为1‑5分钟，即可得到间隔有序的光刻胶图形;步骤五，将步骤四所制得的具有图案的层状物，用湿化学腐蚀去除暴露出的牺牲层;腐蚀时间为20‑30秒，所采用的腐蚀液选自4%的氢氟酸溶液或商用刻蚀剂Transene Gold Etchant TFA;步骤六，热处理，在120℃‑200℃烘烤10‑30分钟;使光刻胶进一步固化，即得到疏水性和亲水性相间隔有序图形的层状物。