二元掩模铬金属膜去除方法

摘要：

本发明涉及一种二元掩模铬金属膜去除方法，其所述二元掩模铬金属膜去除方法包括如下步骤：a.在镀有铬金属膜的基板上涂布光刻胶层；b.利用光刻胶掩模板对上述光刻胶层进行图形化，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；c.利用光刻胶掩模板对光刻胶层的光刻胶掩模图形进行氧等离子体处理，以利用氧等离子体去除掩模图形内对应的有机物残留；d.去除上述光刻胶掩模板并利用光刻胶掩模图形作为保护层，对铬金属膜进行湿法刻蚀，以在铬金属膜上形成金属膜图形；e.去除上述光刻胶层。本发明工艺步骤简单，能对有机物残留进行有效去除，避免铬残留，提高二元掩模的成品率，降低加工成本，适应范围广，安全可靠。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410100820.8

申请日期：2014-03-18

公开/公告号：CN103869607A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：G03F1/82(2012.01)I

申请/专利权人:无锡中微掩模电子有限公司

发明/设计人:尤春;王兴平;陈友篷

主申请人地址:214135 江苏省无锡市新区菱湖大道202号

专利代理机构:无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人:殷红梅

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种二元掩模铬金属膜去除方法，其特征是，所述二元掩模铬金属膜去除方法包括如下步骤：（a）、在镀有铬金属膜（2）的基板（1）上涂布光刻胶层（3）；（b）、利用光刻胶掩模板对上述光刻胶层（3）进行图形化，以在所述光刻胶层（3）上得到光刻胶掩模图形（4）；（c）、利用光刻胶掩模板对光刻胶层（3）的光刻胶掩模图形（4）进行氧等离子体处理，以利用氧等离子体去除掩模图形（4）内对应的有机物残留（5）；（d）、去除上述光刻胶掩模板并利用光刻胶掩模图形（4）作为保护层，对铬金属膜（2）进行湿法刻蚀，以在铬金属膜（2）上形成金属膜图形；（e）、去除上述光刻胶层（3）。