一种双平衡混频器的装置

摘要：

本发明公开了一种双平衡混频器的装置，包括：混频器腔体、混频器电路、K型接头；混频器电路还包括：混频管、金带、金丝、50Ω共面波导、耦合槽线、60Ω槽线、介质基片、λ／8的短路线本发明采用K型头接口，选用50Ω共面波导作为信号端到耦合槽线的过渡，再通过耦合槽线渐变到60Ω槽线加到混频管上，选择金带耦合的方式由50Ω共面波导耦合到槽线，抵消了混频二极管的容性；采用共面波导、耦合槽线、槽线组成的魔T网络来实现宽带巴伦，不需要传输线的交错且具有很强的方向性，提高了隔离度；减轻了共面波导的色散效应；采用了金丝跨接的方式，抑制了高次模式的产生，防止了射频在共面波导中激励出耦合槽线的高次模式。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410100274.8

申请日期：2014-03-11

公开/公告号：CN103888081A

公开/公告日：2014-06-25

主分类号：H03D7/14(2006.01)I

申请/专利权人:西安邮电大学

发明/设计人:杨怿菲;尚建荣;张亚婷;樊宏;张薇薇;高敏;徐静萍;巩艳华;弓楠;刘智芳

主申请人地址:710000 陕西省西安市雁塔区长安南路563号

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种双平衡混频器的装置，其特征在于，该双平衡混频器的装置包括：混频器腔体、混频器电路、K型接头；混频器电路设置在混频器腔体的内部，K型接头设置在混频器电路的左、右两侧； 混频器电路由以下器件组成：混频管、金带、金丝、50Ω共面波导、耦合槽线、60Ω槽线、介质基片、λ/8的短路线；混频管垂直对称设置在混频器内部，λ／8的短路线设置在混频管的下方，60Ω槽线设置在λ／8的短路线的下面，耦合槽线连接60Ω槽线，金带设置在耦合槽线和60Ω槽线之间，50Ω共面波导设置在金带的右侧，金丝设置在50Ω共面波导上，介质基片设置在混频器电路的内部。