一种光屏障基板的制备方法

摘要：

本发明公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本发明借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410081024.4

申请日期：2014-03-06

公开/公告号：CN103885281A

公开/公告日：2014-06-25

主分类号：G03F1/32(2012.01)I

申请/专利权人:京东方科技集团股份有限公司%北京京东方显示技术有限公司

发明/设计人:张小祥;刘正;郭总杰

主申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

专利代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人:李迪

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种光屏障基板的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。